截至10:22，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.6%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，華峰測(cè)控領(lǐng)漲1.25%，盛美上海上漲1.03%，中船特氣上漲0.2%；神工股份領(lǐng)跌2.05%，和林微納下跌1.89%，華海誠(chéng)科下跌1.77%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.73%，最新報(bào)價(jià)1.09元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至2025年7月29日，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周累計(jì)上漲6.69%。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤(pán)中換手5.25%，成交2134.87萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至7月29日，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周日均成交8706.38萬(wàn)元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新規(guī)模達(dá)4.08億元，創(chuàng)近3月新高。從資金凈流入方面來(lái)看，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近5天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.18億元凈流入，合計(jì)“吸金”1.37億元，日均凈流入達(dá)2748萬(wàn)元。

湘財(cái)證券指出，三星、SK海力士、美光擬退出利基型DRAM市場(chǎng)，利基型DRAM供需反轉(zhuǎn)價(jià)格向上，2025及2026年利基型DRAM價(jià)格有望保持在中高位水平。需求端，智能手機(jī)、PC、IOT及工控板塊弱復(fù)蘇態(tài)勢(shì)延續(xù)，疊加國(guó)產(chǎn)化替代仍為大勢(shì)所趨，預(yù)計(jì)推動(dòng)各類(lèi)存儲(chǔ)原廠端供應(yīng)價(jià)格逐步上行，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)原廠受益。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356、C類(lèi)：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。